中国攻克半导体材料世界难题

2026-01-17 00:02 来源 温州在线

中国科技振奋人心的好消息！中国科学家在半导体材料领域攻克了长期存在的世界难题，为芯片技术发展做出了关键贡献。

核心突破：原子级平整的“薄膜”

西安电子科技大学郝跃院士和张进成教授团队首创 “离子注入诱导成核”技术，成功将芯片制造中不同材料层间的粗糙“岛状”界面，转变为原子级平整的“薄膜”。 这解决了自2014年以来困扰行业的散热瓶颈问题，使界面热阻降至传统结构的三分之一。

意义与影响

这项突破意义重大：

性能飞跃：基于该技术的氮化镓器件在X波段和Ka波段输出功率密度分别达42瓦/毫米和20瓦/毫米，提升30%-40%。

提供“中国范式”：为半导体材料高质量集成提供了可复制的通用方案。

推动未来产业发展：为5G/6G通信、卫星互联网等奠定关键器件基础。

未来展望

团队正将目光投向更远的未来，例如探索将氮化铝层替换为导热性能更强的金刚石，以期进一步大幅提升器件功率处理能力。

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编辑： yujeu